1樓：安全護航
一般在半導體薄片的長度x方向上施加磁感應強度為b的磁場，則在寬度y方向上會產生電動勢uh，這種現象即稱為霍爾效應。uh稱為霍爾電勢，其大小可表示為：
uh=rh*ic*b/d（1）
式中，rh稱為霍爾係數，它的單位是米的三次方每庫侖，由半導體材料的性質決定；d為半導體材料的厚度,ic 為電流，b為磁場強度
設rh/d=k,則式（1）可寫為：
uh=k*ic*b (2)
可見，霍爾電壓與控制電流及磁感應強度的乘積成正比，k稱為乘積靈敏度。k值越大，靈敏度就越高；元件厚度越小，輸出電壓也越大。
在式（2）中，若控制電流ic,為常數，磁感應強度b與被測電流成反比，就可以做成霍爾電流感測器；另外，若仍固定ic為常數，b與被測電壓成正比，又可製成霍爾電壓感測器。
2樓：匿名使用者
將材料置於磁場中，當有電流i通過材料時，電流中的移動電荷受到磁場力發生偏轉，在材料兩側聚集了等量異種電荷，因此材料中形成與電流垂直的的電場，材料兩側形成電壓u，達到平衡時：
qu/d=qvb <1> i=nesv <2> s=pi*d^2/4 <3>
其中d是材料厚度（兩側距離），s 是材料的橫截面積(假設橫截面是圓），n是材料單位體積內的自由電荷數，v是電荷定向移動（電流 ）速度。
從上述3式中推出關係
u=(4/pi*n*e)*(b*i/d)=r[h]*(b*i/d)，解出：r[h]=4/pi*n*e
這就是通電電流，磁感應強度，霍爾係數之間的定量關係。
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