1樓：匿名使用者
因為積分積不出來，但高斯定理還是成立的。
真空中和介質中的高斯定理有什麼區別嗎？
2樓：甕楚媯子
高斯定理中不是有介電常數這個引數嗎
真空與介質的區別就在這
你要知道相對介電常數的物理本質
相對介電常數的物理本質是極化電荷
正是極化電荷使介質中的電場與真空中不同
極化電荷使電場的產生的變化可以通過數學變形表達為介電常數的變化
簡述靜電場中高斯定理和靜電場中有電介質時的高斯定理的文字內容數字表達
3樓：匿名使用者
高斯定理：向量分析的重要定理之一。
穿過一封閉曲面的電通量與封閉曲面所包圍的電荷量成正比。
換一種說法：電場強度在一封閉曲面上的面積分與封閉曲面所包圍的電荷量成正比。
由於磁力線總是閉合曲線，因此任何一條進入一個閉合曲面的磁力線必定會從曲面內部出來，否則這條磁力線就不會閉合起來了。如果對於一個閉合曲面，定義向外為正法線的指向，則進入曲面的磁通量為負，出來的磁通量為正，那麼就可以得到通過一個閉合曲面的總磁通量為0。這個規律類似於電場中的高斯定理，因此也稱為高斯定理。
有電介質的高斯定理做高斯面只能在電介質裡做嗎
4樓：廣鴻勤先本
高斯面只能選取包含一個板，這樣才有電位移通量，便於計算。如果包含兩個板通量為零，電荷代數和為零，無法列出方程。電位移向量是兩個板的合向量。
5樓：米諾冰
佔個坑 我看看過幾天老師會不會講orz
多選題：根據電介質中的高斯定理，在電介質中電位移向量沿任意一個閉合曲面的積分等於
6樓：墨汁諾
a、b、d。
嚴格地講應該是「若電位移向量沿任意一個閉合曲面的積分不等於零，曲面內一定有極化電荷和自由電荷」，它只說了一個，但並沒有否定另一個的存在，從邏輯上講，應該不算錯。
根據電介質中的高斯定理，在電介質中電位移向量沿任意一個閉合曲面的積分等於這個曲面所包圍自由電荷的代數和。
7樓：冰宮山小女妖
a,b ,d 肯定是錯的。
至於c, 要看怎麼理解了。嚴格地講應該是「若電位移向量沿任意一個閉合曲面的積分不等於零，曲面內一定有極化電荷和自由電荷」，它只說了一個，但並沒有否定另一個的存在，從邏輯上講，應該不算錯。
8樓：匿名使用者
下列推論錯誤的是（）：
a b c d
真空中和介質中的電場問題
9樓：匿名使用者
1:由e與p，d的向量表示式就可以知道的，d與e相差一個介電常數，故d與e的方向相同，即每一點處的d都是與e同向的，從而d的分佈與e必然也是一樣的；同理，p也與e差一個常數，分佈也相同。注意對向量表示式含義的理解。
2：「應用高斯定理，（d1+d2)*2*pi *r ^2=q」，話說這個是不是還少了個介電常數啊，應該是e1和e2吧。
而上下半球的d大小分佈其實是一樣的，記得在介質中時的高斯定理中，d*ds=dq；發現其他在求d的時候，只要q分佈是相同的，那麼介電常數的不同，並不會影響到d，或者換句話，無論在真空中，還是在介質中，d的分佈都不受電常數的影響，就是說，你在介質中計算d時，其實可以像在真空處理e一樣。受介電常數影響只是場強e，因為e等於d除以介電常數，這正是不同介質中，場強不同原因，也是我們要引入電位移向量d的原因。
不知道清楚沒，要不就坐等大神吧。
靜電場與有介質場中及磁場與有介質磁場中高斯定理和安培環路定理的比較
10樓：歧鶴夢
高斯在靜電場中是用來求電位移d的，證明是有源場 環路證明是保守場，
高斯在磁場中是證明無源場的，環路是證明有旋場，並可以求h
大學物理，電介質，高斯定理，第二題 10
11樓：匿名使用者
電位移：導體球內部為零，外部 d = q / (4 π r^2)電場強度：導體球內部為零，外部 e = q / (4 π ε0 εr r^2)
電介質表面（與導體表面接觸處的球面）總的極化電荷為q' = - q (1 - 1/ εr)
均勻分佈。
12樓：
立用高斯定理沒做已,
13樓：秦旭成吧
.高斯不是數學王子麥 我還認得到搞化學的蓋斯
高斯定律應用到兩介質分介面上電容率用介質的還是真空的？
14樓：恆新國儀科技****
高斯定律（gauss' law）：在靜電場中，穿過任一封閉曲面的電場強度通量只與封閉曲面內的電荷的代數和有關，且等於封閉曲面的電荷的代數和除以真空中的電容率。
表明在閉合曲面內的電荷分佈與產生的電場之間的關係。靜電場中通過任意閉合曲面（稱高斯面）s 的電通量等於該閉合面內全部電荷的代數和，與面外的電荷無關。
大學物理電磁部分，有介質的磁場高斯定理及安培環路定理。幫幫忙，有人會嗎？ 50
15樓：匿名使用者
h = b/μ0 - m
= 0.1*10^4 / (4π*10^-7) - 10^7
= 7.85775*10^8 a/m
靜電場的高斯定理和環路定理說明靜電場是個什麼場
16樓：匿名使用者
高斯定理:
向量分析的重要定理之一。穿過一封閉曲面的電
通量與封閉曲面所包圍的電荷量成正比。換一種說法：電場強度在一封閉曲面上的面積分與封閉曲面所包圍的電荷量成正比由於磁力線總是閉合曲線，因此任何一條進入一個閉合曲面的磁力線必定會從曲面內部出來，否則這條磁力線就不會閉合起來了。
如果對於一個閉合曲面，定義向外為正法線的指向，則進入曲面的磁通量為負，出來的磁通量為正，那麼就可以得到通過一個閉合曲面的總磁通量為0。這個規律類似於電場中的高斯定理，因此也稱為高斯定理
電場強度e 在任意麵積上的面積分高斯定理
稱為電場強度對該面積的通量。根據庫侖定律可以證明電場強度對任意封閉曲面的通量正比於該封閉曲面內電荷的代數和，即
高斯定理
, (1)
這就是高斯定理。它表示，電場強度對任意封閉曲面的通量只取決於該封閉曲面內電荷的代數和，與曲面內電荷的分佈情況無關，與封閉曲面外的電荷亦無關。在真空的情況下,σq是包圍在封閉曲面內的自由電荷的代數和。
當存在介質時,σq應理解為包圍在封閉曲面內的自由電荷和極化電荷的總和。
高斯定理反映了靜電場是有源場這一特性。凡是有正電荷的地方，必有電力線發出；凡是有負電荷的地方，必有電力線會聚。正電荷是電力線的源頭，負電荷是電力線的尾閭。
高斯定理是從庫侖定律直接匯出的，它完全依賴於電荷間作用力的二次方反比律。把高斯定理應用於處在靜電平衡條件下的金屬導體，就得到導體內部無淨電荷的結論，因而測定導體內部是否有淨電荷是檢驗庫侖定律的重要方法。
對於某些對稱分佈的電場,如均勻帶電球的電場,無限大均勻帶電面的電場以及無限長均勻帶電圓柱的電場，可直接用高斯定理計算它們的電場強度。
當存在電介質並用電位移d描寫電場時,高斯定理可表示成高斯定理
。 (2)
它說明電位移對任意封閉曲面的通量只取決於曲面內自由電荷的代數和σqo，與自由電荷的分佈情況無關,與極化電荷亦無關。電位移對任一面積的能量為電通量，因而電位移亦稱電通密度。對於各向同性的線性的電介質，電位移與電場強度成正比,d＝εrεoe,εr稱為介質的相對介電常數，這是一個無量綱的量。
如果整個封閉曲面s在一均勻的相對介電常數為εr的線性介質中(其餘空間區域可以充任何介質)，高斯定理(2)又可寫成高斯定理
， (3)
在研究電介質中的靜電場時，這兩種形式的高斯定理特別重要。
高斯定理的微分形式為高斯定理
。即電位移的散度等於該點自由電荷的體密度。在均勻線性介質區內，則為高斯定理
。靜電場的高斯定理可以推廣到非靜態場中去，不論對於隨時間變化的電場還是靜態電場，高斯定理都是成立的，它是麥克斯韋方程組的組成部分。
17樓：說芮費莫慧雲
根據靜電場的高斯定理：
靜電場的電場線起於正電荷或無窮遠,靜電場終止於負電荷或無窮遠，故靜電場是有源場．
從安培環路定理來說它是一個無旋場．
根據環量定理，靜電場中環量恆等於零,表明靜電場中沿任意閉合路徑移動電荷，電場力所做的功都為零，因此靜電場是保守場
高斯公式中物距像距焦距的正負如何規定
高斯定律 gauss law 表明在閉合曲面內的電荷分佈與產生的電場之間的關係。高斯定律在靜電場情況下類比於應用在磁場學的安培定律，而二者都被集中在麥克斯韋方程組中。因為數學上的相似性，高斯定律也可以應用於其它由反平方定律決定的物理量，例如引力或者輻照度。通常規定光線從左向右傳播為正方向，然後根據物...
光在不同種，但是均勻的介質中是直線嗎
大師 光在同種均勻介質中是沿直線傳播的。一 光的直線傳播 光沿直線傳播的前提是在同種均勻介質中。光的直線傳播不僅是在均勻介質，而且必須是同種介質。可以簡稱為光的直線傳播，而不能為光沿直線傳播。光在兩種均勻介質的接觸面上是要發生折射的，此時光就不是直線傳播了。二 用波動學解釋光的傳播 光在傳播途中每一...
中熱機械多介質過濾器的原理是
中熱多介質過濾器是以成層狀的無煙煤 砂 細碎的石榴石或其他材料為床層，一個典型的多介質過濾器。床的頂層由最輕和最粗品級的材料組成，而最重和最細品級的材料放在床的低部。其原理為按深度過濾 水中較大的顆粒在頂層被去除，較小的顆粒在過濾器介質的較深處被去除。從而使水質達到粗過濾後的標準。裝置是壓力式的，其...