1樓：匿名使用者
首先指出 的是你在分析計算時混淆了電壓和電位的概念：“ue為0.2v”、“ub=0.
2-0.85=-0.65v”、“ub=-0.
65v，io為0.3v”等。
對於矽pnp三極體，ube=-0.65v，飽和電壓是uces。
我們分析一下圖一，下圖已經圖一標註了各點電位及電流方向。
圖中可以確定的是：
uc=0（接地）
uo=0.3v
ube=ub-ue=-0.65v
另外可以看出：
uec=-uce=uo+ubo+ueb=0.3v+ib*rb+(-ube)=0.3v+ib*rb+0.65v=0.95v+ib*rb
得到：uce=-(0.95v+ib*rb)
｜uce｜＞0.95v
所以q1並不是在飽和狀態。
（1）下面計算一下工作點：
發光二極體正向電壓vd1按1.8v計算，從發射極到基極到輸入io迴路：
（圖中的rc實際應為re）
vd1+ie*re+ueb+ib*rb+uo=4v
ie=(1+β)*ib
設放大倍數：β=80
1.8+(1+80)*0.33*ib+0.65+10*ib+0.3=4
ib=0.034ma
ie=2.75ma
uce=-1.29v
三極體處在放大狀態。
（2）pnp型三極體，不管是放大狀態還是飽和狀態，基極電流都是從發射極流向基極的，截止狀態時無基極電流。
（3）在這裡電阻的計算主要是根據發光二極體的電流（ie）來決定的，re也可以等效到rb進行計算：re等效於rb'=(1+β)re
例如要求光二極體的電流3ma，即 ie=3ma ，ib=3/81=0.037ma
rb+rb'=(4-1.8-0.65-0.3)/0.037=33.8kω
其中 rb和rb' 可以分配，分配沒有規定的比例，甚至rb'=0也可以。
如果選取 rb=10kω，rb'=23.8kω ，則 re=23.8kω/81=293ω，可選用 300ω作為re。
題中re=330ω，得到 ie=2.75ma。
（4）圖一和圖三它們的目的是相同的，結果也基本相同。
它們的區別：
1、圖一是射極輸出，圖三是集電極輸出；
2、圖一中三極體處於放大狀態，圖三中三極體處於飽和狀態。
比較：圖一優於圖三，因為圖一處於放大狀態，轉換速度大大快於圖三的飽和狀態。三極體處於飽和狀態轉換到截止狀態，首先要退出飽和狀態進入放大區再進入截止區。
所以在三極體作為高速開關設計時都不把它設計在輕度飽和狀態或放大狀態。
2樓：匿名使用者
第一個圖不行，飽和狀態uce只有0.3v,第一圖無法工作，第一圖錯。在驅動負載的時候，三極體必須工作在飽和狀態，不要考慮什麼放大倍數。
計算的時候只要計算ice的電流就可以了。放大倍數只在小訊號檢波放大時才有效。ib的電流是從e到b流的，三極體ib一般0.
1ma就足以飽和導通了。這樣一來ube=0.7v+uio=0.
3v=1v，則限流電阻r=(4v-1v)/0.1=30k。因為是微控制器動態掃描，ib電流要加大，這樣取10k是合理的。
你用放大係數去計算限流電阻，太臨界，實際工作中根本不行。因為電阻有正負百分之10的製造誤差的。ib只要取值在1ma左右就行了。
pnp三極體工作原理
3樓：暴走少女
pnp三極體在使用中發射極電位最高，集電極電位最低時為ube<0，三極體按結構可以分為，npn型三極體和pnp型三極體。
pnp三極體管道通時ie=（放大倍數+1)*ib和icb沒有任何關係，icb=0 icb>0時，可能就與pnp三極體就有所關係，三極體在正常工作時，不管是在工作放大區還是飽和區icb=0，當ueb>0.7v(矽)，rc/rb《放大倍數時，pnp三極體工作在飽和區，反之就工作在放大區。
擴充套件資料：
一、三極體結構型別
晶體三極體是在一塊半導體基片上製作兩個相距很近的pn結，兩個pn結把正塊半導體分成三部分，中間部分是基區，兩側部分是發射區和集電區，排列方式有pnp和npn兩種。
從三個區引出相應的電極，分別為基極b發射極e和集電極c。
發射區和基區之間的pn結叫發射結，集電區和基區之間的pn結叫集電結。基區很薄，而發射區較厚，雜質濃度大，pnp型三極體發射區"發射"的是空穴，其移動方向與電流方向一致，故發射極箭頭向裡。
npn型三極體發射區"發射"的是自由電子，其移動方向與電流方向相反，故發射極箭頭向外。發射極箭頭指向也是pn結在正向電壓下的導通方向。矽晶體三極體和鍺晶體三極體都有pnp型和npn型兩種型別。
二、工作狀態
1、截止狀態
當加在三極體發射結的電壓小於pn結的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極體這時失去了電流放大作用，集電極和發射極之間相當於開關的斷開狀態，我們稱三極體處於截止狀態。
2、放大狀態
當加在三極體發射結的電壓大於pn結的導通電壓，並處於某一恰當的值時，三極體的發射結正向偏置，集電結反向偏置，這時基極電流對集電極電流起著控制作用，使三極體具有電流放大作用，其電流放大倍數β=δic/δib，這時三極體處放大狀態。
3、飽和導通
當加在三極體發射結的電壓大於pn結的導通電壓，並當基極電流增大到一定程度時，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處於某一定值附近不怎麼變化。
這時三極體失去電流放大作用，集電極與發射極之間的電壓很小，集電極和發射極之間相當於開關的導通狀態。三極體的這種狀態我們稱之為飽和導通狀態。
4樓：金六福
pnp管：電流從發射極流入基極與集電極。
然而npn管：電流從基極，集電極流入從發射極流出三極體正常工作條件：給管子be結加正扁電壓，bc結加反扁電壓，be結的正扁電壓要大於或等於導通電壓。
npn型：uc〉ub〉ue pnp型：ue〉ub〉uc
5樓：518姚峰峰
pnp三極體在使用中發射極電位最高，集電極電位最低時為ube<0，三極體按結構可以分為，npn型三極體和pnp型三極體。
pnp三極體管道通時ie=（放大倍數+1)*ib和icb沒有任何關係，icb=0 icb>0時，可能就與pnp三極體就有所關係，三極體在正常工作時，不管是在工作放大區還是飽和區icb=0，當ueb>0.7v(矽)，rc/rb《放大倍數時，pnp三極體工作在飽和區，反之就工作在放大區。
6樓：go陌小潔
pnp電晶體是另一種型別電晶體。它的工作原理和npn電晶體相似，只是在基區運動並放大訊號的多數載流子是空穴而不是電子。pnp電晶體的發射結要正偏，基區的電壓要比發射區的電壓要低，而集電極要使多數載流子空穴通過，集電區的電壓要比基區的要低。
這一點和npn電晶體的極間電位正好相反。在雙極模擬積體電路中要應用npn-pnp互補設計以及某些偏置電路極性的要求，需要引入pnp結構的電晶體。如橫向pnp管廣泛應用於有源負載、電平位移等電路中。
它的製作可與普通的 npn管同時進行，不需附加工序。在橫向pnp管中，發射區注入的少子（空穴）在基區中流動的方向與襯底平行，故稱為橫向 pnp管。縱向pnp管其結構以p型襯底作集電區，集電極從濃硼隔離槽引出。
n型外延層作基區，用硼擴散作發射區。由於其集電極與襯底相通，在電路中總是接在最低電位處，這使它的使用場合受到了限制，在運放中通常只能作為輸出級或輸出緩衝級使用。
7樓：匿名使用者
你先看pnp**管的箭頭基極b其實就是開關，如果有個電流從發射極e流到基極b那麼就等於開啟了開關，然後電流就可以順利從發射極e流到集電極c
8樓：匿名使用者
看書，樓上還只說到了開關特性
最主要還有個放大作用，eb電流跟ec電流還有個倍數關係，而且還分截止區，放大區，飽和區..太多了，一下講不清楚
推薦你看下
《電子技術基礎 模擬部分》
主編：康華光
9樓：功荏謬樂章
1.pnp管放大原理：
當pnp管的vc電流流入管子，基極電流和集電極電流流出管子，且集電極電流跟基極電流之間成β關係，三極電流滿足ie=ib+ic=ib(1+β·ib)。即，基極電流可以控制集電極電流，這種控制作用就稱為管子的放大作用。
2.開關作用原理：
當管子的vc>vb，且ve>vb時，集電結和發射結都正偏，管子工作於飽和狀態，此時管子的管壓降約為0.1-0.3v。
ic=vcc/rc，即，集電極電流基本取決於集電極電源和集電極電阻，與ib無關，相當於一個閉合的開關。
當vc 3.電流電壓值 飽和時，ic=vcc/rc管壓降|uce|=0.1-0.3vvc約等於ve均大於vb，|vbe|=0.3v（鍺管）或0.6v（矽管） 截止時ib、ic、ie均約為0.。（微安級的穿透電流，很小） 10樓：匿名使用者 pnp三極體的工作原理 晶體三極體按照材料可以分為以下兩種，分別是鍺管和矽管，不管哪一種的結構形式，而我們使用最多的就是矽npn和鍺pnp兩種三極體，其工作原理主要的是利用的半導體之間的連線進行集電工作。 對三極體放大作用的理解，切記一點：能量不會無緣無故的產生，所以，三極體一定不會產生能量， 但三極體厲害的地方在於：它可以通過小電流控制大電流。 放大的原理就在於：通過小的交流輸入，控制大的靜態直流。 假設三極體是個大壩，這個大壩奇怪的地方是，有兩個閥門，一個大閥門，一個小閥門。小閥門可以用人力開啟，大閥門很重，人力是打不開的，只能通過小閥門的 水力開啟。所以，平常的工作流程便是，每當放水的時候，人們就開啟小閥門，很小的水流涓涓流出，這涓涓細流衝擊大閥門的開關，大閥門隨之開啟，洶湧的江水 滔滔流下。 如果不停地改變小閥門開啟的大小，那麼大閥門也相應地不停改變，假若能嚴格地按比例改變，那麼，完美的控制就完成了。 pnp三極體做開關電路時的具體分析，有圖，**等 11樓： 要在開關狀態下，必需輸入5v以上為高電平。pnp三極體截止，此時為關狀態，指示燈滅。輸入4v一下為低電平，pnp三極體飽和導通，此時為開狀態，指示燈亮。 pnp型三極體發射極電位最高,集電極電位最低,ube<0。 pnp型三極體 三極體導通時ie=（放大倍數+1)*ib和icb沒有關係，icb=0 icb>0時,可能三極體就有問題,所以三極體在正常工作時,不管是工作在放大區還是飽和區icb=0。 當ueb>0.7v(矽)(鍺0.2v),rc/rb《放大倍數時,三極體工作在飽和區,反之就工作在放大區。 凡沫雅 當ib 0時，ic 0。對npn型矽管，當基極 b極 與發射極間電壓ube 0.5v時，管子已經開始截止，但為了使電晶體可靠截止，通常給發射極加上反向偏置電壓，這樣發射極和集電極都處於反向偏置，電晶體處於可靠截止狀態。2.當基極電流的變化對集電極電流的影響很小，兩者不成比例時，電晶體處於飽和... 截止狀態。因為基極電壓小於起始導通電壓，集電極 發射極電壓反置，三極體不工作。發射結 是反向偏置，管子 處於截止狀態，沒有電流流過 發射結反偏，管子處於截止狀態 下圖的三極體處於什麼工作狀態？他們的回答，都是錯誤的。這個三極體的bc 結，已經損壞。什麼工作狀態，都沒有了。根本就不能工作！還有 什麼工... 截止狀態 當加在三極體發射結的電壓小於pn結的導通電壓，基極電流為零，集電極電流和發射極電流都為零，三極體這時失去了電流放大作用，集電極和發射極之間相當於開關的斷開狀態，我們稱三極體處於截止狀態。放大狀態 當加在三極體發射結的電壓大於pn結的導通電壓，並處於某一恰當的值時，三極體的發射結正向偏置，集...如何判斷三極體工作狀態，怎麼判斷三極體的工作狀態？
關於三極體工作狀態的問題，如何判斷三極體的工作狀態
三極體工作在放大區 飽和區 截止區的外部條件是什麼