1樓：先進光半導體
固態繼電器採用的是電子開關（可控矽或者閘流體），通過半導體器件控制電路開合。無接觸點，不產生火花。適合於粉塵和工作頻率高的場所。
缺點是隻有一組觸頭，過載能力差，不能流過超出額定電流的電流，否則會擊穿電子開關，導致報廢。
先進光半導體-光耦合器
固態繼電器與光電耦合器的原理很接近，不過內部差距蠻大，固態繼電器一般是用於小訊號控制大電壓大電流的，光電耦合器主要是小訊號的傳輸，大訊號能力相當有限，不過光電耦合器的工作頻率可以達到很高，而固態繼電器頻率要差很多。
光電繼電器 是通過光 觸發繼電器動作的繼電器，固態繼電器是繼電器裡面一大堆電子元器件和功率元件，代替了傳統的電磁鐵和觸點的接觸機械部分了，壽命長，穩定；而光繼電器和固態繼電器最大的區別就在於觸發方式，光電的低壓端和高壓端可以是完全分離的，低壓端可以用乾電池，高壓端理論上可以隨便使用多高的電壓，中間通過光觸發，不接觸，就沒有了高壓對低壓的訊號的干擾。而固態繼電器，高壓，低壓端是需要共地的，這就帶來了訊號的干擾。
先進光半導體光耦優勢替代
2樓：瀋陽萬通汽車學校
光電繼電器 是通過光 觸發繼電器動作的繼電器，固態繼電器是繼電器裡面一大堆電子元器件和功率元件，代替了傳統的電磁鐵和觸點的接觸機械部分了，壽命長，穩定;而光繼電器和固態繼電器最大的區別就在於觸發方式，光電的低壓端和高壓端可以是完全分離的，低壓端可以用乾電池，高壓端理論上可以隨便使用多高的電壓，中間通過光觸發，不接觸，就沒有了高壓對低壓的訊號的干擾。而固態繼電器，高壓，低壓端是需要共地的，這就帶來了訊號的干擾。
電磁繼電器和固態繼電器有什麼區別啊？
3樓：蓬初蝶進聽
總的來說還是固態繼電器好，電磁繼電器是有觸點而固態繼電器是無觸點，電磁繼電器抗干擾能力差，容易誤觸發。固態繼電器常用的型號有ssr-d4825a，
ssr-3d4825a等。
4樓：匿名使用者
電磁繼電器得電時：1 不能實現電路高頻快速通斷 2 有噪音3 有電火花4有電磁干擾5觸點易氧化6使用壽命較短
而固態繼電器都沒有上述缺點，唯一的缺點是：固態繼電器觸點組數少，沒有交流電控制直流電的！
5樓：匿名使用者
主要區別舉3條
前者，屬於有觸點的，由電磁鐵控制的多點控制開關。分有電磁鐵通電後接通的觸點[名稱：常開觸點]，還有通電前閉合的觸點[名稱：常閉觸點。電磁鐵通電後斷開]。
後者，屬於無觸點開關。採用閘流體、可控矽、大功率電晶體做開關元件。
前者，具有物理阻斷功能，斷電後，被控制的裝置可以完全脫離電源。
後者，不具備物理阻斷功能，斷電後，被控制的裝置還掛在電網上。
前者，耐受過電壓，過電流的本事大於或遠遠大於後者
6樓：匿名使用者
1.電磁繼電器，是使用線圈通過直流或交流電，產生磁場，吸合或斷開觸點，達到開關的目的。
固態繼電器，是使用光耦隔離或變壓器隔離驅動後部可控矽或igbt等功率半導體器件，達到開關的目的。
2。繼電器要求的基本功能是控制端與輸出端隔離，控制端一般是小電流低電壓，具體要求要根據各種繼電器的使用環境。
固態繼電器 光耦 區別
7樓：瀟湘客
原理相似，結構不同，所控制的電壓、電流值不一樣。固態繼電器可以簡單地看作由光耦和功率器件串接而成。
8樓：先進光半導體
固態繼電器和光耦是兩種產品，先進光半導體（南方先進電子）。
南方先進電子
先進光半導體
9樓：匿名使用者
光耦在固態繼電器中作為隔離驅動元件，沒有原理的直接比較性。
10樓：專業流浪二十年
光耦以光訊號為媒介來實現電訊號的耦合與傳遞，輸入與輸出在電氣上完全隔離，具有抗干擾效能強的特點。
固態繼電器是一種兩個接線端為輸入端，另兩個接線端為輸出端的四端器件，中間採用隔離器件實現輸入輸出的電隔離。固態繼電器的輸入端用微小的控制訊號，達到直接驅動大電流負載。
嚴格來說，原理不一樣。
光耦可控矽與固態繼電器有何區別？
11樓：匿名使用者
可控矽通過的是數字裝置：
電壓低電流低
速度快封裝小
固態繼電器是功率裝置：
電壓高電流高
速度慢封裝大
12樓：匿名使用者
1、效能特點：
光耦可控矽：電壓低，電流低，速度快，封裝小。
固態繼電器：電壓高，電流高，速度慢，封裝大。
2、工作原理：
可控矽是p1n1p2n2四層三端結構元件，共有三個pn結，分析原理時，可以把它看作由一個pnp管和一個npn管所組成。
當陽極a加上正向電壓時，bg1和bg2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極g輸入一個正向觸發訊號，bg2便有基流ib2流過，經bg2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為bg2的集電極直接與bg1的基極相連，所以ib1=ic2。
此時，電流ic2再經bg1放大，於是bg1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到bg2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向反饋迴圈的結果，兩個管子的電流劇增，可控矽使飽和導通。
由於bg1和bg2所構成的正反饋作用，所以一旦可控矽導通後，即使控制極g的電流消失了，可控矽仍然能夠維持導通狀態，由於觸發訊號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控矽是不可關斷的。
由於可控矽只有導通和關斷兩種工作狀態，所以它具有開關特性，這種特性需要一定的條件才能轉化。
狀態說明
從關斷到導通
1、陽極電位高於是陰極電位
2、控制極有足夠的正向電壓和電流
兩者缺一不可
維持導通
1、陽極電位高於陰極電位
2、陽極電流大於維持電流
兩者缺一不可
從導通到關
1、陽極電位低於陰極電位
2、陽極電流小於維持電流
任一條件即可
3、基本伏安特性
（1）反向特性
當控制極開路，陽極加上反向電壓時，j2結正偏，但j1、j2結反偏。此時只能流過很小的反向飽和電流，當電壓進一步提高到j1結的雪崩擊穿電壓後，接差j3結也擊穿，電流迅速增加，特性發生了彎曲，彎曲處的電壓uro叫“反向轉折電壓”。此時，可控矽會發生永久性反向擊穿。
（2）正向特性
當控制極開路，陽極上加上正向電壓時，j1、j3結正偏，但j2結反偏，這與普通pn結的反向特性相似，也只能流過很小電流，這叫正向阻斷狀態，當電壓增加，特性發生了彎曲，彎曲處的是ubo叫，正向轉折電壓
陽極加正向電壓
由於電壓升高到j2結的雪崩擊穿電壓後，j2結髮生雪崩倍增效應，在結區產生大量的電子和空穴，電子時入n1區，空穴時入p2區。進入n1區的電子與由p1區通過j1結注入n1區的空穴複合，同樣，進入p2區的空穴與由n2區通過j3結注入p2區的電子複合，雪崩擊穿，進入n1區的電子與進入p2區的空穴各自不能全部複合掉，這樣，在n1區就有電子積累，在p2區就有空穴積累，結果使p2區的電位升高，n1區的電位下降，j2結變成正偏，只要電流稍增加，電壓便迅速下降，出現所謂負阻特性。
這時j1、j2、j3三個結均處於正偏，可控矽便進入正向導電狀態---通態，此時，它的特性與普通的pn結正向特性相似
4、觸發導通
在控制極g上加入正向電壓時因j3正偏，p2區的空穴時入n2區，n2區的電子進入p2區，形成觸發電流igt。在可控矽的內部正反饋作用的基礎上，加上igt的作用，使可控矽提前導通，導致伏安特性oa段左移，igt越大，特性左移越快。
13樓：周毅興
固態繼電器裡的器件就是光耦加可控矽
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