關於微控制器晶振的問題,關於微控制器晶振與時間關係的問題

時間 2021-09-01 18:48:17

1樓:匿名使用者

這兩個小電容叫晶振的負載電容,分別接在晶振的兩個腳上和對地的電容,一般在幾十皮發。它會影響到晶振的諧振頻率和輸出幅度,也是使振盪頻率更穩定。 實際上就是電容三點式電路的分壓電容,接地點就是分壓點。

以接地點即分壓點為參考點,振盪引腳的輸入和輸出是反相的。 當兩個電容量相等時,反饋係數是0.5,一般是可以滿足振盪條件的。

但如果不易起振或振盪不穩定,可以減小輸入端對地電容量,而增加輸出端的值以提高反饋量。

一般外接電容,是為了使晶振兩端的等效電容等於或接近負載電容。要求高的場合還要考慮ic 輸入端的對地電容。一般晶振兩端所接電容是所要求的負載電容的兩倍。

這樣並聯起來就接近負載電容了。負載電容是指在電路中跨接晶體兩端的總的外界有效電容。他是一個測試條件,也是一個使用條件。

應用時一般在給出負載電容值附近調整可以得到精確頻率。此電容的大小主要影響負載諧振頻率和等效負載諧振電阻。

2樓:匿名使用者

電容是用來匹配容抗的,不加的話有時會頻率不準或振盪激勵過高.

晶振的標稱值在測試時有一個「負載電容」的條件,在工作時滿足這個條件,振盪頻率才與標稱值一致,也就是說,只有連線合適的電容才能滿足晶振的起振要求,晶振才能正常工作。

關於微控制器晶振與時間關係的問題 100

3樓:匿名使用者

你的理解沒錯 12m 8m省略了單位赫茲。

1hz=1/秒

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