肖特基二極體主要優點是什麼,什麼是肖特基二極體,有何特點?

時間 2021-09-21 09:26:30

1樓:辰達君

結合電路來回答:

肖特基二極體mbr系列極快的開關速度以及非常低的反向恢復時間使它們非常適合高頻應用,並能最大程度降低開關損耗。肖特基二極體與普通的pn結二極體不同。是使用n型半導體材料與金屬在一起結合形成金屬一半導體結。

肖特基二極體比普通二極體有正向壓降低、反向電荷恢復時間短(10ns以內)等優點。

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2樓:匿名使用者

1、正向壓降低,約只有一般矽二極體的一半。在下向導通時由於正向電壓低消耗的二極體上的功耗也小。

2、反向恢復時間小,比超快速恢復管還要小得多。在高頻電路中除了正向導通功耗外還有較大的功耗就是開關功耗,反向恢復時間越小開關功耗也就越小。

3樓:匁染乀仯

1)由於肖特基勢壘高度低於pn結勢壘高度,故其正向導通門限電壓和正向壓降都比pn結二極體低(約低0.2v)。

2)由於sbd是一種多數載流子導電器件,不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。sbd的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間,完全不同於pn結二極體的反向恢復時間。由於sbd的反向恢復電荷非常少,故開關速度非常快,開關損耗也特別小,尤其適合於高頻應用。

但是,由於sbd的反向勢壘較薄,並且在其表面極易發生擊穿,所以反向擊穿電壓比較低。

什麼是肖特基二極體,有何特點?

4樓:辰達君

肖特基二極體優點:

肖特基二極體具有開關頻率高和正向壓降低等優點,但其反向擊穿電壓比較低,大多不高於60v,最高僅約100v,以致於限制了其應用範圍。像在開關電源(smps)和功率因數校正(pfc)電路中功率開關器件的續流二極體、變壓器次級用100v以上的高頻整流二極體、rcd緩衝器電路中用600v~1.2kv的高速二極體以及pfc升壓用600v二極體等,只有使用快速恢復外延二極體(fred)和超快速恢復二極體(ufrd)。

ufrd的反向恢復時間trr也在20ns以上,根本不能滿足像空間站等領域用1mhz~3mhz的smps需要。即使是硬開關為100khz的smps,由於ufrd的導通損耗和開關損耗均較大,殼溫很高,需用較大的散熱器,從而使smps體積和重量增加,不符合小型化和輕薄化的發展趨勢。因此,發展100v以上的高壓sbd,一直是人們研究的課題和關注的熱點。

近幾年,sbd已取得了突破性的進展,150v和 200v的高壓sbd已經上市,使用新型材料製作的超過1kv的sbd也研製成功,從而為其應用注入了新的生機與活力。

肖特基二極體缺點:

肖特基二極體最大的缺點是其反向偏壓較低及反向漏電流偏大,像使用矽及金屬為材料的肖特基二極體,其反向偏壓額定耐壓最高只到 50v,而反向漏電流值為正溫度特性,容易隨著溫度升高而急遽變大,實務設計上需注意其熱失控的隱憂。為了避免上述的問題,肖特基二極體實際使用時的反向偏壓都會比其額定值小很多。不過肖特基二極體的技術也已有了進步,其反向偏壓的額定值最大可以到200v。

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5樓:帥帥一炮灰

肖特基二極體是以其發明人肖特基博士(schottky)命名的,sbd是肖特基勢壘二極體(schottkybarrierdiode,縮寫成sbd)的簡稱。sbd不是利用p型半導體與n型半導體接觸形成pn結原理製作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理製作的。因此,sbd也稱為金屬-半導體(接觸)二極體或表面勢壘二極體,它是一種熱載流子二極體。

特點:1)由於肖特基勢壘高度低於pn結勢壘高度,故其正向導通門限電壓和正向壓降都比pn結二極體低(約低0.2v)。

2)由於sbd是一種多數載流子導電器件,不存在少數載流子壽命和反向恢復問題。sbd的反向恢復時間只是肖特基勢壘電容的充、放電時間,完全不同於pn結二極體的反向恢復時間。由於sbd的反向恢復電荷非常少,故開關速度非常快,開關損耗也特別小,尤其適合於高頻應用。

但是,由於sbd的反向勢壘較薄,並且在其表面極易發生擊穿,所以反向擊穿電壓比較低。由於sbd比pn結二極體更容易受熱擊穿,反向漏電流比pn結二極體大。

6樓:技能兩分鐘

肖特基二極體和普通二極體什麼區別?和快恢復二極體是一種嗎?很多人還分不清

7樓:匿名使用者

這裡面有你想要的答案

肖特基二極體的作用是什麼呢?

8樓:辰達君

肖特基二極體,又稱肖特基勢壘二極體(簡稱 sbd),它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒),正向導通壓降僅0.4v左右。

其多用作高頻、低壓、大電流整流二極體、續流二極體、保護二極體,也有用在微波通訊等電路中作整流二極體、小訊號檢波二極體使用。在通訊電源、變頻器等中比較常見。

一個典型的應用,是在雙極型電晶體 bjt 的開關電路里面, 通過在 bjt 上連線 shockley 二極體來箝位,使得電晶體在導通狀態時其實處於很接近截止狀態,從而提高電晶體的開關速度。這種方法是 74ls,74als,74as 等典型數字 ic 的 ttl內部電路中使用的技術。

肖特基二極體的最大特點是正向壓降 vf 比較小。在同樣電流的情況下,它的正向壓降要小許多。另外它的恢復時間短。

它也有一些缺點:耐壓比較低,漏電流稍大些。選用時要全面考慮。

9樓:林霞秋水寒

肖特基(schottky)二極體,又稱肖特基勢壘二極體,是以金屬和半導體接觸形成的勢壘為基礎的二極體,簡稱肖特基二極體。與普通二極體(多指用pn結形成的矽二極體)相比最顯著的特點為反向恢復時間極短(可以小到幾納秒),正向導通壓降更低,僅0.4v左右。

它也有一些缺點:耐壓比較低,漏電流較大。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極體(比如開關電源次極整流二極體),續流二極體、保護二極體,也有用在微波通訊等電路中作整流二極體、小訊號檢波二極體使用。

在通訊電源、變頻器等中比較常見。而普通二極體只能用在低頻整流場合,耐壓可以做得更高。

10樓:匿名使用者

肖特基二(schottky)極管是以其發明人肖特基博士(schottky)命名的,sbd是肖特基勢壘二極體(schottkybarrierdiode,縮寫成sbd)的簡稱。sbd不是利用p型半導體與n型半導體接觸形成pn結原理製作的,而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理製作的。因此,sbd也稱為金屬-半導體(接觸)二極體或表面勢壘二極體,它是一種熱載流子二極體。

它是一種低功耗、超高速半導體器件,廣泛應用於開關電源、變頻器、驅動器等電路,作高頻、低壓、大電流整流二極體、續流二極體、保護二極體使用,或在微波通訊等電路中作整流二極體、小訊號檢波二極體使用。

11樓:簷下汀雨聲

肖特基二極體和普通二極體有什麼不同,它到底有什麼優缺點

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