1樓：網友
請看三極體的輸入特性曲線。
圖中的（b)是三極體的輸入特性曲線，它表示ib隨ube的變化關係。
當ube＜uber時，ib≈o稱（0～uber)的區段為「死區」（一般矽管的「死區」電壓uber約為，當ube＞uber時，ib隨ube增加而增加，放大時，三極體工作在較直線的區段（對於矽管這個區段一般在棚敗穗之間鏈卜）。
用三極體做開關，要讓三極體工作在截止區和飽和區。對於「關」狀態，工作在截止區，ube＜uber（，這時ib≈o。對於「開」狀態，工作在和飽和區，ube一般在左右，這時ib較大，ib的具體數值與負載有關。
由於ube的變化範圍很小，所以一般不是用ube的大小來控制枯缺的，而是用ib的大小來控制的，ib是通過調整rb來改變大小的。在開關電路中，如負載電流是ic，那麼只要ib*β＞ic就可以飽和，一般選擇ib*β=5～10）ic，這樣可使充分飽和。
2樓：網友
be極的壓降是恆定的，看二極體伏安曲線，vbe從0v公升到餘粗手後不再公升豎嫌高。只能通過調整ib電流控制管子導通。凳信。
3樓：網友
看不同的判雀三極體把，有一些也是導通的，而且這個也跟溫度有關係的，而且同個型號的三極體也是會有些差別的，具體要拿生鋒巧產該型號銀衝鍵的公司給出來的手冊去看。
很簡單的電路問題！！！！我初三學的都忘了！！！有勞各位啊~
4樓：網友
rx=100歐姆。
該電路是混連電路，根據串並聯電路電壓和電流的關係分析，可求出與rx並聯部分電路分壓是50v,電流是1a，因此加在rx上的電壓是50v,根據最左端的兩個r與rx所在的混連電路再串聯的電壓關係，可知乙個r分壓為（110-50）v/2=30v,電流為30伏/20歐=安，通過rx的電流=,根據50v/歐。
急求！電子技術問題，二極體問題，求解答第二題，感謝！！！
5樓：小溪
由於沒有二極體時的uab是3v，加了二極體後處於正向偏置狀態，二極體導通後的電壓為鍺管），故選擇a。
電路求解！
6樓：老將從頭來
電流源功率=2a×15v=30（w）
i2=15v/3ω=5（a）
i1=i2+2=7（a）
電壓源功率=7a×15=105（w）
電阻功率=3×5²=75（w）
急急急急急急急！！！電路問題求大神來解答，不勝感激
7樓：熱情的
加熱絲電阻/內阻=，那麼內阻分得電壓為1v，即內阻造成1v電壓的損失；加熱絲則分得11v電壓。
急急急！！！電路問題...**等哈！
8樓：網友
把r1和r2串聯後接在電壓是5伏的電源上，通過r1的電流強度是，r2兩端的電壓是4伏：
i2=i1=
u1=u-u2=1v
故：r1=u1/i1=5歐。
r2=u2/i2=20歐。
現將他們並聯後接到同一電源上，並聯後：
r總=（r1r2）/(r1+r2)=100/25=4歐i總=u/r總=5/4=
9樓：網友
總電阻為4總電流為
**急等三極體問題！！！
10樓：網友
三極體本身不存在鎖死問題。所謂「鎖死」是由於外電路的正反饋強度超出了訊號強度造成的。對於你這個區域性電路圖來說，如果在這個區域性之外還存在如下圖中紅線所繪的連線，並且r1的阻值較大、而r2的阻值較小甚至用導線直接連線，就會出現所謂「鎖死」現象，即u1c的差分輸入電壓從正變化到負、或者從負變化到正，卻不能使比較器的輸出電壓隨著發生同樣的變化。
11樓：網友
鎖死指的是右邊電壓比較器長輸出高電平，左邊比較器也是有兩個電壓比較，那麼鎖死……
三極體的導通電壓多大
假面 矽管 npn，基極大於發射極0.7v，但實際使用0.5v左右就導通了 pnp，發射極大於基極0.7v 鍺管 npn，基極大於發射極0.3v pnp，發射基大於基極0.3v 矽材料的npn 管工作在飽和區時，集電極和發射極間也會存在0.3v左右的壓差。0.3v乘以流過三極體電流可以計算三極體使用...
三極體問題，三極體的問題
你說的 濾波電容，應該叫耦合電容。現假設電容沒充電時其兩端電壓為0，這時電容兩端加上7v電壓，電容開始充電 設這個電流為正向 電容充電後其兩端電壓 7v。這時訊號電壓從7v開始逐漸向下降至3v，電壓高的電容也逐漸向電路放電 對比充電電流而言，這個放電電流就成了反向 直到電容兩端電壓 3v為止完成一個...
請教乙個三極體B極飽和導通電流計算公式的問題。
追問 不能。乙個pn節。相當於。乙個二極體 舉例 肖特基的左右。其他的那樣 沒有電勢差pn結不能正偏。基極電流輸入的大小能控制集電極輸入的電流大小。放大倍數 倍那樣。飽和理解 當基極電流增大時，集電極電流也快速增大，那麼集電極上的電阻降壓也越大，集電極電流過大，集電極上的電阻降壓過大時，最終導致集電...