1樓：
前面出現溝道那段想必滾和你已經很熟悉了。櫻拆這個問題，你最好把模電書拿出來，翻到mosfet的結構那張圖。對於n溝道增強型mosfet而言，只要ugs>ugs(th)，就會出現反型層，也就是在s、d兩個高濃大頌盯度摻雜區之間出現n區，n溝道由此得名。
然後在uds之間加了電壓，這裡你注意，d是連線電源正極，根據電子帶負電的特性，既然d是正極，在電場力作用下，反型層中的電子就會被吸引到電源正極d，越靠近s，電場能量越小，吸引力越弱，這就導致了反型層在d端比較窄，而在s端比較寬的情況，如果uds繼續增大，電場越強，吸引電子能力越強，反型層靠近d端的自由電子最終被全部吸引到d區，這樣在靠近d端的地方就出現了載流子濃度極低的情況，也就是夾斷區出現了。
2樓：匿名使用者
看模廳晌電書45頁！！！凡柵(gate)-源(source)電壓ugs為零時漏極電流也為零的管子均為增強型管，凡柵-源敗伏譁電壓ugs為察行零時漏極電流不為零的管子均為耗盡型管。
n溝道增強型mosfet的工作原理，類比電子技術基礎這本書裡面細節看不懂！
3樓：網友
這不是說的很清楚了嗎？在d極、g極兩個電壓的共同作用下，形成了導電溝道。因為靠近d極部分電壓肯定高的嘛，越靠近s極，肯定電壓越小嘛。
所以導電溝道就是梯形圖一樣了（如你發的圖所示）。注意是導電溝道是電子形成的，所以形狀是倒梯形。
模電場效電晶體n溝道增強型mos管當ugd增大時為什麼會出現預夾斷？
4樓：deity灬曦素材店
前面出現溝道那段想必你已經很熟悉了。這個問題，你最好把模電書拿出來，翻到mosfet的結構那張圖。對於n溝道增強型mosfet而言，只要ugs>ugs(th)，就會出現反型層，也就是在s、d兩個高濃度摻雜區之間出現n區，n溝道由此得名。
然後在uds之間加了電壓，這裡你注意，d是連線電源正極，根據電子帶負電的特性，既然d是正極，在電場力作用下，反型層中的電子就會被吸引到電源正極d，越靠近s，電場能量越小，吸引力越弱，這就導致了反型層在d端比較窄，而在s端比較寬的情況，如果uds繼續增大，電場越強，吸引電子能力越強，反型層靠近d端的自由電子最終被全部吸引到d區，這樣在靠近d端的地方就出現了載流子濃度極低的情況，也就是夾斷區出現了。
類比電子技術中為什麼「n溝道增強型mos管中：ugd＞ugs（th）即uds＞ugs-ugs（th）」？我感覺寫反了吧？
5樓：大海小藍天
沒有看過華成英的《幫你學模擬》。
但三個不等式中：
ugs>ugs(th），且ugd＞ugs（th）即uds＞ugs-ugs（th）」
中間的乙個錯了！
應為：ugd 6樓：黑石菊花 誰都沒有錯。是目前fet輸出特性曲線分割槽及相關概念搞亂了，整個學界都沒有梳理清楚，自然誰寫都難寫清楚。硬著頭皮看那些根本沒有寫清楚的書，自然很難看出乙個所以然來。 bjt是電流控制，fet是電壓控制，兩者的輸出都是電流，所以說fet與bjt非常相似。兩者的輸出特性曲線及其分割槽也基本相同。在輸出特性曲線族上看，緊挨輸出電流縱軸的是很窄的飽和區，然後是寬闊的放大區，再是緊挨電壓橫軸的很窄的截止區。 目前fet輸出特性曲線分割槽硬是把飽和區和放大區顛倒了！ bjt基極電流變換為集電極電流是放大，其實fet柵極電壓變化轉換為漏極電流變化實質上也是放大。 顛倒的根本原因在於，只是很侷限地把bjt基極電流變換為集電極電流理解為放大，沒有把fet柵極電壓變化轉換為漏極電流變化也理解為放大。 關於fet輸出特性曲線的分割槽，要求詳盡的請參考吳運昌的《類比電子線路基礎》和元增民的《類比電子技術》。 7樓：孔伶兒 答案肯定是對滴，你推錯了，p溝道的才是小於號，書本不同的話有時候代表的符號也不一樣，我看的是康華光的好像。 mos管增強型與耗盡型的區別在**？ 8樓：箬淺箬漾 1、pmos的值不同。 1）、增強型：柵極與襯底間不加電壓時，柵極下面沒有溝道存在，也就是說，對於nmos，閾值電壓大於0；pmos，小於0。 2）、耗盡型：柵極與襯底間不加電壓時，柵極下面已有溝道存在，也就是說，對於nmos，閾值電壓小於0；pmos，大於0。 2、原理不同。 最關鍵的區別在於耗盡型在g端不加電壓都存在導電溝道，而增強型只有在開啟後，才出現導電溝道。 3、控制方法不同。 1）、耗盡型ugs可以用正、零、負電壓控制導通。 2）、增強型必須使得ugs>ugs(th)才行，一般的增強型nmos，都是正電壓控制的。 9樓：deity灬曦素材店 1、原理不同，最關鍵的區別在於耗盡型在g端不加電壓都存在導電溝道，而增強型只有在開啟後，才出現導電溝道。 2、控制方法是不一樣的。耗盡型ugs可以用正、零、負電壓控制導通，而增強型必須使得ugs>ugs(th)才行，一般的 增強型nmos，都是正電壓控制的。 10樓：匿名使用者 增強型：柵極與襯底間不加電壓時，柵極下面沒有溝道存在。也就是說，對於nmos，閾值電壓大於0；pmos，小於0。 耗盡型：柵極與襯底間不加電壓時，柵極下面已有溝道存在。也就是說，對於nmos，閾值電壓小於0；pmos，大於0。 通過改變有源區的摻雜濃度，控制柵極絕緣層厚度和選擇某種功函式的柵極材料，可以製造出增強型或耗盡型的mosfet。 我們生活，生產中，cpu 記憶體 等等現在的超大積體電路構成的電子產品的重要性不言而喻啊。構成他們的核心材料就是半導體，類比電子就是學這個半導體器件和一些重要的電路原理的。而數電就是應用型的，電子產品內部都是二進位制處理資料，學好數位電子技術能更好的瞭解電子器件的工作原理。比如一個電子錶，實際上就是... 類比電子技術 類比電子技術是一門研究對 訊號進行處理的類比電路的學科。它以半導體二極體 半導體三極體和場效電晶體為關鍵電子器件，包括功率放大電路 運算放大電路 反饋放大電路 訊號運算與處理電路 訊號產生電路 電源穩壓電路等研究方向。數位電子技術 數位電子技術主要研究各種邏輯閘電路 整合器件的功能及其... 3全部使用該無線路由器的步驟具體如下 1 根據說明書連線網線 無線路由器 電腦，其中網線連路由器wan口，電腦連路由器任意一個lan口即可，然後街上電源 2 在電腦瀏覽器輸入192.168.1.1，預設登陸賬號和密碼都是admin，可以看到如圖介面 3 點選左上角的設定嚮導，根據提示，一步步選擇輸入...數電，模電的作用，數電模電的區別
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