記憶體條ddr4和ddr3有啥區別?是不是效能要好很多

時間 2021-06-25 00:46:13

1樓:家居搬運工

ddr3記憶體是2023年開始應用的,屬於前面一代的產品,ddr4記憶體在2023年底開始應用,屬於新一代的產品。效能方面ddr4比ddr3有很大的提升。

ddr3記憶體條**

1、ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz,ddr3原生是1866mhz,起始頻率有不小的提升。

2、外形有所不同。介面位置發生了改變,ddr4金手指中間的“缺口”位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面,普通ddr4記憶體有284個,而ddr3則是240個,每一個觸點的間距從1mm縮減到0.

85mm。

3、金手指設計不同。ddr3記憶體金手指是平直的形狀。ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。

在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面,訊號傳輸確保訊號穩定的同時,讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。

ddr4記憶體條**

4、引數的不同。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬,ddr4-3200那就是51.2gb/s,比之ddr3-1866高出了超過70%。

電壓方面,ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造,電壓從ddr3的1.5v降低至ddr4的1.2v,移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更低。

容量方面ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後,單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說,目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb(單顆晶片512mb,共16顆),而ddr4則完全可以達到64gb,甚至128gb。

2樓:海天諾

ddr4與ddr3記憶體差異一:處理器

每次記憶體升級換代時,必須支援的就是處理器。haswell-e平臺的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計,ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz,這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz,起始頻率有不小的提升。haswell-e作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8核,另一點是對ddr4的支援。

上市初期整體成本相當高,並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體,所以增加了ddr4普及的門檻。

ddr4與ddr3記憶體差異二:外型

ddr4記憶體金手指變的彎曲了,並沒有沿著直線設計,這究竟是為什麼呢?一直一來,平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後,受到的摩擦力較大,因此記憶體存在難以拔出和難以插入的情況,為了解決這個問題,ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。

這樣的設計既可以保證ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面,訊號傳輸確保訊號穩定的同時,讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。

介面位置同時也發生了改變,金手指中間的“缺口”位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面,普通ddr4記憶體有284個,而ddr3則是240個,每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。

ddr4與ddr3記憶體差異三:引數

ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬,ddr4-3200那就是51.2gb/s,比之ddr3-1866高出了超過70%。

ddr4與ddr3記憶體差異四:容量和電壓

ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後,單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之多。舉例來說,目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb(單顆晶片512mb,共16顆),而ddr4則完全可以達到64gb,甚至128gb。而電壓方面,ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造,電壓從ddr3的1.

5v降低至ddr4的1.2v,移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更低。

3樓:匿名使用者

ddr4是下一代的記憶體(相較ddr3),效能上有提升,但ddr4與以前的記憶體介面不相容,需要x99主機板才能支援。

ddr3和ddr4的記憶體條在遊戲效能上有什麼區別嗎

4樓:仁昌居士

ddr3和ddr4的記憶體條區別為:延遲度不同、每秒傳輸幀數不同、預設重新整理率不同。

一、延遲度不同

1、ddr3的記憶體條:ddr3的記憶體條的遊戲延遲度比ddr4的記憶體條的遊戲延遲度高。

2、ddr4的記憶體條:ddr4的記憶體條的遊戲延遲度比ddr3的記憶體條的遊戲延遲度低。

二、每秒傳輸幀數不同

1、ddr3的記憶體條:ddr3的記憶體條的每秒傳輸幀數比ddr4的記憶體條的每秒傳輸幀數少。

2、ddr4的記憶體條:ddr4的記憶體條的每秒傳輸幀數比ddr3的記憶體條的每秒傳輸幀數多。

三、預設重新整理率不同

1、ddr3的記憶體條:ddr3的記憶體條的預設重新整理率比ddr4的記憶體條的預設重新整理率低。

2、ddr4的記憶體條:ddr4的記憶體條的預設重新整理率比ddr3的記憶體條的預設重新整理率高

5樓:樂觀的

主要是工作電壓和針腳上有區

別,總結一句話就是做工上有區別。至於效能上那就得看具體型號了,不是說4代的就一定比3代的好。現在的主機板要麼支援ddr4的要麼支援ddr3的,兩種不能同時使用,有些主機板會同時配有ddr4和ddr3兩種插槽,但你只能使用一種。

1、介面不同,頻率不同。

2、效能上,ddr4速度更快。但是,如果拿ddr3的2400頻率和ddr4的2400頻率比較,那沒什麼大的區別。

3、能插三代記憶體的主機板不能插四代的,因為介面不同。

擴充套件資料

為了要增加記憶體的容量和頻寬,晶片會利用模組結合。例如,有關 dimms 的64位bus需要8個 8位的晶片併發處理。與常見的地址線(address lines)的多個晶片被稱為memory rank。

這個術語被引入,是要避免與晶片內部row和bank的混亂。

1、pc-1600儲存器模組指工作在 100mhz 下的ddr-200記憶體晶片,其擁有 1.600gb/s 的頻寬

2、pc-2100儲存器模組指工作在 133mhz 下的ddr-266記憶體晶片,其擁有 2.133gb/s 的頻寬

3、pc-2700儲存器模組指工作在 166mhz 下的ddr-333記憶體晶片,其擁有 2.667gb/s 的頻寬

4、pc-3200儲存器模組指工作在 200mhz 下的ddr-400記憶體晶片,其擁有 3.200gb/s 的頻寬

6樓:匿名使用者

1333和2400比才會在幀數上有一定的差別 差距很有限

7樓:匿名使用者

一個3代一個4代記憶體,配套的cpu和主機板也都不一樣。相同**購買的配置你用4代的配置玩老遊戲肯定比3代的好

ddr3和ddr4記憶體條有什麼區別?

8樓:匿名使用者

ddr4是什麼意思?

ddr,英文全稱為:dual data rate,是一種雙倍速率同步動態隨機儲存器。嚴格的說,ddr應該叫ddr sdram,人們習慣稱為ddr,其中,sdram 是synchronous dynamic random access memory的縮寫,即同步動態隨機存取儲存器,而ddr sdram是double data rate sdram的縮寫,是雙倍速率同步動態隨機儲存器的意思。

簡單來說,ddr4就是第二代記憶體的意思,目前不少智慧手機與電腦都用上了新一代ddr4記憶體,它屬於我們熟知的ddr3記憶體的下一代版本,帶來了更低的功耗與更出色的效能。

經歷了ddr1、ddr2、ddr3記憶體,新一代ddr4記憶體也逐漸開始變得流行,無論是pc還是智慧手機,如今ddr4記憶體可以說早已悄然流行。

ddr4和ddr3記憶體區別

雖然新一代電腦/智慧手機用上了ddr4記憶體,但以往的產品大多還是用的ddr3記憶體,因此ddr3依舊是主流,ddr4今後將逐漸取代ddr3,成為新的主流,下面我們再來看看ddr4和ddr3記憶體都有哪些區別。

相比上一代ddr3,新一代ddr4記憶體主要有以下幾項核心改變:

1.外觀改變

ddr4記憶體條外觀變化明顯,金手指變成彎曲狀,這意味著,ddr4記憶體不再相容ddr3,老平臺電腦無法升級ddr4記憶體,除非將cpu和主機板都更換為新平臺。

2.ddr4記憶體頻率與頻寬提升明顯

頻率方面,ddr3記憶體起始頻率為800,最高頻率達到了2133。ddr4記憶體起始頻率就達到了2133,量產產品最高頻率達到了3000,從記憶體頻率來看,ddr4相比ddr3提升很大。

頻寬方面,ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬,ddr4-3200那就是51.2gb/s,比之ddr3-1866高出了超過70%。

綜合來看,ddr4記憶體效能最大幅度可比ddr3提升高達70%,甚至更高。

3.ddr4記憶體容量提升明顯,可達128gb

上一代ddr3記憶體,最大單挑容量為64gb,實際能買到的基本是16gb/32gb,而新一代ddr4記憶體,單條容量最大可以達到128gb,媲美ssd了。

4.ddr4功耗明顯降低,電壓達到1.2v、甚至更低

上一代ddr3記憶體,採用1.5v標準電壓,而ddr4記憶體則降低為1.2v,甚至可以做到更低,功耗下降了,更省電,並且可以減少記憶體的發熱。

9樓:匿名使用者

ddr4與ddr3記憶體差異一:處理器

每次記憶體升級換代時,必

須支援的就是處理器。haswell-e平臺的記憶體同ivb-e/snb-e一樣為四通道設計,ddr4記憶體頻率原生支援

2133mhz,這相較ivb-e的ddr3原生1866mhz,起始頻率有不小的提升。haswell-e作為新的旗艦提升最大兩點一個是6核升級8

核,另一點是對ddr4的支援。上市初期整體成本相當高,並且不會同時支援ddr3和ddr4記憶體,所以增加了ddr4普及的門檻。

ddr4與ddr3記憶體差異二:外型

一直一來,平直的記憶體金手指插入記憶體插槽後,受到的摩擦力較大,因此記憶體存在難以拔出和難

以插入的情況,為了解決這個問題,ddr4將記憶體下部設計為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在**的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。這樣的設計既可以保證

ddr4記憶體的金手指和記憶體插槽觸點有足夠的接觸面,訊號傳輸確保訊號穩定的同時,讓中間凸起的部分和記憶體插槽產生足夠的摩擦力穩定記憶體。

介面位置同時也發生了改變,金手指中間的“缺口”位置相比ddr3更為靠近**。在金手指觸點數量方面,普通ddr4記憶體有284個,而ddr3則是240個,每一個觸點的間距從1mm縮減到0.85mm。

ddr4與ddr3記憶體差異三:引數

ddr4最重要的使命當然是提高頻率和頻寬。ddr4記憶體的每個針腳都可以提供2gbps(256mb/s)的頻寬,ddr4-3200那就是51.2gb/s,比之ddr3-1866高出了超過70%。

另外就是其它引數的改變,比如容量和電壓。

ddr4在使用了3ds堆疊封裝技術後,單條記憶體的容量最大可以達到目前產品的8倍之

多。舉例來說,目前常見的大容量記憶體單條容量為8gb(單顆晶片512mb,共16顆),而ddr4則完全可以達到64gb,甚至128gb。而電壓方

面,ddr4將會使用20nm以下的工藝來製造,電壓從ddr3的1.5v降低至ddr4的1.2v,移動版的so-dimmd dr4的電壓還會降得更

記憶體條是ddr4好還是ddr3好

ddr3和ddr4的區別 1 外觀 ddr4記憶體金手指觸點達到了284個,每一個觸點間距只有0.85mm ddr3記憶體金手指觸點是240個,間距1mm 因為這一改變,ddr4的記憶體金手指部分也設計成了中間稍突出,邊緣收矮的形狀,在 的高點和兩端的低點以平滑曲線過渡。ddr4 模組上的卡槽與 d...

怎樣檢測記憶體條是ddr3還是ddr

ddr4與ddr3記憶體差異一 處理器 每次記憶體升級換代時,必須支援的就是處理器。haswell e平臺的記憶體同ivb e snb e一樣為四通道設計,ddr4記憶體頻率原生支援2133mhz,這相較ivb e的ddr3原生1866mhz,起始頻率有不小的提升。haswell e作為新的旗艦提升...

DDR4與DDR3有什麼區別,記憶體條 DDR3和DDR4是什麼?有什麼不一樣?

atm半夏熒光 ddr3和ddr4的區別如下 一 外觀不一樣 一般情況下ddr4記憶體金手指觸點達到了284個,而且每一個觸點間距只有0.85mm,ddr3記憶體金手指觸點是240個,因為這一改變,ddr4的記憶體金手指部分也設計成了中間稍突出,邊緣收矮的形狀,在 的高點和兩端的低點用平滑曲線過渡。...