1樓：瓷谷科技
眾所周知電容器的損耗是電容器的一個非常重要的指標，是衡量電容器品質的重要標誌，決定著電容的使用壽命和電容器在電路中的作用效果
定義：電容器在工作過程因發熱而消耗的能量叫電容器的損耗
電容器的能量損耗來自兩方面：介質損耗與金屬損耗介質損耗包括1.介質漏電流引起的電導損耗2.介質極化引起的極化損耗
金屬損耗包括：1.金屬極板與引出線接觸電阻產生的損耗2.金屬極板電阻產生的損耗3.引出線電阻產生的損耗
金屬損耗隨頻率和溫度的增高而增大，在高頻電路工作時，金屬損耗佔的損耗比例會很高，這點在電容器應用及生產工藝上特別注意
由於電容器損耗的存在，使加在電容器的電壓與電流之間的夾角（相位角）不是理想的90度，而是偏離了一個δ度，這個δ角就稱為電容器的損耗角（如下圖所示)
習慣上以損耗角正切值表示電容器的損耗，實際就是電容器消耗的無功功率，於是也可以這樣定義：電容器的損耗也指電容器在電場作用下，消耗的無功功率與消耗的總功率的比值其表示式為：電容器損耗角正切值=無功功率÷總功率
或電容器損耗角正切值=無功功率×100÷總功率(得出的值為百分比）式中，總功率=無功功率+有功功率、有功功率=i有功平方×xc、無功功率=i總平方×r=（i漏+i有功）平方×r，r=金屬極板與引出線接觸電阻+金屬極板電阻+引出線電阻
2樓：匿名使用者
電容器損耗角正切值=無功功率÷總功率
或電容器損耗角正切值=無功功率×100÷總功率(得出的值為百分比）式中， 總功率=無功功率+有功功率有功功率=i有功平方×xc
無功功率=i總平方×r=（i漏 + i有功 ）平方×rr=金屬極板與引出線接觸電阻+金屬極板電阻+引出線電阻
什麼是電容的損耗角
3樓：匿名使用者
電容器在電場力作用下，單位時間內消耗的能量叫電容損耗，用有功功率表示。僅有有功功率不能說明電容器損耗特性方面的質量情況。為了確切的表徵電容器的損耗特性，需考慮用所消耗掉的有功功率與它輸送的無功功率的比值表示，這一引數叫損耗角正切。
4樓：匿名使用者
電容器在工作過程因發熱而消耗的能量叫電容器的損耗。
電容的損失角是什麼意思？比如一個電容2200uf16v ，用儀器測量容量2232uf，損失角（d）
5樓：
由於電容器損耗的存在，使加在電容器的電壓與電流之間的夾角（相位角）不是理想的90度，而是偏離了一個δ度，這個δ角就稱為電容器的損耗角。
習慣上以損耗角正切值表示電容器的損耗，實際就是電容器消耗的無功功率，於是也可以這樣定義：
電容器的損耗也指電容器在電場作用下，消耗的無功功率與消耗的總功率的比值
其表示式為：電容器損耗角正切值=無功功率÷總功率或電容器損耗角正切值=無功功率×100÷總功率(得出的值為百分比）
鋁電解電容的損耗角一般大小,求高手解答 5
6樓：匿名使用者
您好，你可以參照下圖cectn品牌（凱琦佳電容）電解電容損耗角值
7樓：東莞榮譽電子
你好！.損耗角的正切（tan），相當於無功功率和有功功率的比值，這個值跟電容的品質以及發熱量有關係，這個值越小電容效能越好。.漏電流值：
無論絕緣體多大，總是會有細微的電流漏過電容，這個值則代表具體漏過的多少。 此外，esl特性也是電容的效能指標之一。但是隨著電容技術的發展，現在的高檔電解電容，其esl特性一般都很好，到10mhz、20mhz以上的時候往往才能體現出區別，因此也就失去了比較的意義。
電容esr的意義 esr緣何重要？ 首先來說esr。esr是高頻電解電容裡面最重要的效能引數，很多電子元器件都強調“low esr”這一效能特徵，也就是esr值很小的意思。
那麼，我們如何正確理解low esr的實際意義呢？由於現在電子技術的發展，**給硬體的電壓正呈現越來越低的趨勢，例如intel、amd的最**cpu，電壓均小於2v，相比以前動輒3、4v的電壓要低得多。但是，另一方面這些晶片由於電晶體和頻率爆增，需求的功耗卻是有增無減，因此按p=ui的公式來計算，這些裝置對電流的要求就越來越高了。
例如兩顆功耗同樣是70w的cpu，前者電壓是3.3v，後者電壓是1.8v。
那麼，前者的電流就是i=p/u=70w/3.3v大約在21.2a左右。
而後者的電流就是i=p/u=70w/1.8v=38.9a，達到了前者的近一倍。
在通過電容的電流越來越高的情況下，假如電容的esr值不能保持在一個較小的範圍，那麼就會產生比以往更高的漣波電壓（理想的輸出直流電壓應該是一條水平線，而漣波電壓則是水平線上的波峰和波谷）。 此外，即使是相同的漣波電壓，對低電壓電路的影響也要比在高電壓情況下更大。例如對於3.
3v的cpu而言，0.2v漣波電壓所佔比例較小，還不足以形成致命的影響，但是對於1.8v的cpu而言，同樣是0.
2v的漣波電壓，其所佔的比例就足以造成數位電路的判斷失誤。 那麼esr值與漣波電壓的關係何在呢？我們可以用以下公式表示：
v=r（esr）×i 這個公式中的v就表示漣波電壓，而r表示電容的esr，i表示電流。可以看到，當電流增大的時候，即使在esr保持不變的情況下，漣波電壓也會成倍提高，採用更低esr值的電容是勢在必行。這就是為什麼如今的板卡等硬體裝置上所用的電容，越來越強調low esr的緣故。
上圖就是一個典型的濾波電路。其中的sw ic相當開關電源，將輸入的5v直流電轉換為3.3v直流電。
而電路的l/c部分則構成電路的低通濾波器，目的就是儘量濾去直流電中的漣波電壓。 而上圖的**則表明了，在l/c部分使用不同種類電容的情況下，這個電路中漣波電壓的表現情況。可以看出，具有low esr效能的鋁固體聚合物導體電容（左邊），其消除漣波電壓的效能最強，鉭二氧化錳電容（右邊）效能次之，鋁電解液電容（中間）表現最差。
同時最後的數值還將受溫度影響，這點我們還將在後面詳細說明。 溫度與電容效能的密切關係 電容的效能並非一成不變，而是會受到環境的影響，而對電容影響最大的就是溫度。而在不同種類的電容當中，採用電解液作為陰極材質的電容例如鋁電解液電容，受溫度影響又最為明顯。
因為在不同種類的陰極，例如電解液、二氧化錳、固體聚合物導體當中，只有電解液採用離子導電方式，而其餘幾種均採用電子導電方式。對於離子導電而言，溫度越高，其離子活動越強，電離程度也越強。因此，在溫度不超過額定限度的前提下，電解液電容在高溫狀態下的效能要比低溫狀態下更好。
上圖代表25攝氏度下，三種電容降低漣波電壓的能力（電路可以以上一章節中的電路圖為參考）。其中第一個**所使用的oscon svp鋁固體聚合物導體電容（1顆，100μf，esr=40毫歐姆）），第二個**所使用的是低阻抗鋁電解液電容（3顆並聯），第三個**使用的是低阻抗鉭電容（2顆並聯）。 從**中可以看出，在25攝氏度的常溫狀態下，三者所產生的漣波電壓分別是22.
8/23.8/24.8mv。
也就是說，1顆鋁固體聚合物導體電容，在25攝氏度下降低漣波電壓的能力，大致相當於2顆鉭電容和3顆鋁電解液電容。 上圖同樣是這三種電容，同一電路，在70攝氏度下降低漣波電壓的表現。可以看出，鋁固體聚合物導體電容和鉭電容的效能改變都不大，依然保持在24~25mv左右，但是3顆鋁電解液電容並聯下的漣波電壓降低到了16.
4mv，這時只需要並聯兩顆這種電容，即可達到25攝氏度狀態下的25mv左右水平，其效能提升巨大。 下面我們就要看低溫環境下這三種電容的表現了。上圖是在零下20攝氏度下三種電容的成績。
可以看出，在低溫環境下，鋁電解液電容的效能降低得非常厲害。3顆並聯狀態下的漣波電壓由25攝氏度下的23.8mv猛增到了57.
6mv。要將漣波電壓降低到和25攝氏度相同的數值，需要並聯7顆這種電容。相比之下我們還能看出，鋁固體聚合物導體電容和鉭電容的效能，無論是在25度、70度還是-20度環境下，其波動都不大。
從以上分析我們不難看出，鋁電解液電容的esr值受溫度影響是極其明顯的。上面的圖表則直接畫出了不同種類電容，在不同溫度狀態下的esr曲線。其中鋁電解液電容（藍色線）隨溫度（y軸）的增加，esr值（x軸）降低明顯。
而鋁固體聚合物導體電容（紫色線）和鉭電容（綠色線）以及高檔陶瓷電容（紅色線）則近似於直線，其esr值受溫度影響不大。而普通陶瓷電容（粉紅線）則受溫度影響較大。 這裡需要說明的是，上表中用做比較的鋁固體聚合物導體電容，其容量較小（只有100μf），而且esr並不太低（40毫歐）。
如換上大容量，esr更低的同類產品，最終效能表現將更加突出。貼片鋁電解電容（東莞榮譽牌）
rvt系列-寬溫度品-105℃-1000小時
特點：a、工作溫度範圍寬(-55℃～+105℃),105℃標準品
b、適用於高密度組裝
c、效能穩定、可靠性高
d榮譽指令已對應完畢
主要技術效能：
使用溫度範圍：-55℃～+105℃
額定電壓範圍：6.3v-100v dc
標稱電容量範圍：0.47-1500uf
標準電容量允許偏差：±20%(120hz,20℃
漏電流(20℃):1≤0.01crur(ua)或3ua取較大者(2分鐘）
耐久性：+105℃施加額定電壓1000小時，恢復16小時後，電容器應滿足下要求
1電容量變化率≤±30%初始值為內
2漏電流值≤初始規定值
3損耗角正確值≤±300%初始規定值
高溫儲存：+105℃，1000小時，恢復16小時後，電容器應滿足下要求
1電容量變化率≤±30%初始值為內
2漏電流值≤2倍初始規定值
3損耗角正確值≤±300%初始規定值
耐焊接熱：在250℃的條件下，電容器應在熱板上保持30秒，然後從熱板上取出電容器，讓其在溫室下恢復，電容器應滿足一下要求。
1電容量變化率≤±10%初始值為內
2漏電流值≤初始規定值
3損耗角正確值≤初始規定值
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