1樓：海天盛
晶片有10條地址線和8條資料線。
由於dram晶片的儲存容量為512k×8位，其資料儲存的最小單位為8位，即1位元組。因此，資料線總共需要8位，即8條資料線，通常為d（0）～d（7）。
同時，可以知道記憶體的512k位，從2＾19＝524，288＝512k，所以我們可以用19個地址的順序來表示dram的地址。
然而，dram的內部儲存單元大多采用行和行結構，即在分時多工中，地址線傳輸行和行訊號，因此地址線的數量應該減少到10個地址線。地址值是冗餘的。
dran的內部儲存單元結構如下圖所示：
擴充套件資料：
dram（動態隨機存取儲存器），即動態隨機存取儲存器。資料只能儲存很短的時間。為了儲存資料，dram使用電容儲存，因此必須定期重新整理資料，如果儲存單元沒有重新整理，那麼儲存的資訊就會丟失。
（關機時會丟失資料）
dram的結構和列地址行分時工作大大提高了dram地址行的利用率和dram的整合度，大大減少了dram引腳的數量。
2樓：
該晶片具有10條地址線和8條資料線。
由於該dram晶片儲存容量為512k×8位，故其資料儲存最小單位為8位，即一個位元組，故其資料線總共需要8位資料線，即8條資料線，通常位d(0)~d(7)。
同時可知儲存器的字量位512k，由2^19=524,288=512k，故此處可以使用19條地址順序表示dram的地址。
但dram內部儲存單元多采用行列結構，即地址線分時複用傳輸行列訊號，故地址線數目應縮減為10條地址線。此時地址取值存在冗餘。
dran內部儲存單元結構如下圖：
擴充套件資料
dram（dynamic random access memory），即動態隨機存取儲存器。 只能將資料保持很短的時間。為了保持資料，dram使用電容儲存，所以必須隔一段時間重新整理（refresh）一次，如果儲存單元沒有被重新整理，儲存的資訊就會丟失。
（關機就會丟失資料）
dram的儲存結構採用二維矩陣結構使dram的地址資料讀入需要分為行地址資料和列地址資料兩部分，通過mcu產生的訊號和dram內部的暫存器進行配置。
dram的這種結構和行列地址線的分時工作極大地提高了dram地址線的利用率和dram的整合度，大大減少了dram的引腳數。
3樓：
記憶體的地址線跟記憶體的容量有關，類似於有1萬個人有**，**號碼就至少得5位一樣，只不過區別是電腦內部用二進位制而不是十進位制。記憶體的容量有多少，是用多少個二進位制數表示，那麼地址線的條數就是多少個，比如容量是4位的，用兩個2進位制數表述，那麼地址線就是2條，8位的，用三個2進位制數表示，地址線就應該是3條，這樣推下來，內容容量是能用多少個二進位制數表示，相當於1個二進位制數的2的多少次，那麼地址條數就是多少。512k應該指的是512kb，相當於4mb（按照1比8換算），需要用22位二進位制數表示，相當於2的22次，所以用22條地址線。
資料線指一次傳輸的資料的寬度，8位的寬度應該用8根資料線。
4樓：匿名使用者
因為其儲存容量是512k*8位，則它的資料線為8，地址線數為19。因為2^19=512k。
某dram晶片，其儲存容量為512×8位，問該晶片的地址線和資料線的數目分別是多少？ 5
5樓：湖人總冠軍
如果儲存容量為512×8，則有8條資料線；因為2^19=512k，則有19條地址線。
512表示可以儲存512×1024=2^19位資料，同時讀寫8位資料。
dram晶片是動態隨機存取儲存器，dram只能儲存短時間的資料，需要定期重新整理，dram要比sram複雜得多，因為在dram的資料儲存過程中，儲存的資訊需要不斷重新整理，這是它們之間最大的區別。
6樓：路堯家的顧小言
儲存容量為512×8，則資料線為8個；因為2^19=512k，故地址線有19個。
512是指可以儲存512×1024=2^19個bit資料，同時期可同時進行8bit的讀取或者寫入操作。
dram晶片即動態隨機存取儲存器，dram 只能將資料保持很短的時間，所以需要定時重新整理。dram相對於sram來說更加複雜，因為在dram儲存資料的過程中需要對於儲存的資訊不停的重新整理，這也是它們之間最大的不同。
7樓：匿名使用者
樓上都錯了，dram採用地址複用，分行列傳送訊號，地址線要除2
8樓：匿名使用者
地址線19根 512 = 二的九次方 + 1k=1024b=二的十次方
資料線8根 512*8位
9樓：
地址線9根 512 = 二的九次方
資料線8根 512*8位
某sram晶片的儲存容量為64k*16位，該晶片的地址線和資料線數目為多少？
10樓：津人依夢談娛樂
sram晶片的儲存容量為64k*16位，該晶片的地址線是16根，資料線是16根。
儲存容量的計算公式是：2^n，其中n就表示地址線的數目。2^16=65536，在計算機中就稱其儲存容量最大可擴充套件為64k。
儲存器晶片容量=單元數×資料線位數，因此64k*16位晶片的資料線是16根。
sram的中文意思就是靜態隨機存取儲存器，是隨機存取儲存器的一種。所謂的「靜態」，是指這種儲存器只要保持通電，裡面儲存的資料就可以恆常保持。
相對之下，動態隨機存取儲存器（dram）裡面所儲存的資料就需要週期性地更新。然而，當電力**停止時，sram儲存的資料還是會消失（被稱為volatile memory），這與在斷電後還能儲存資料的rom或快閃記憶體是不同的。
擴充套件資料
sram主要用途：
sram主要用於二級快取記憶體（level2 cache)。它利用電晶體來儲存資料。與dram相比，sram的速度快，但在相同面積中sram的容量要比其他型別的記憶體小。
sram的速度快但昂貴，一般用小容量的sram作為更高速cpu和較低速dram 之間的快取（cache）。
sram也有許多種，如asyncsram (asynchronous sram，非同步sram）、sync sram (synchronous sram，同步sram）、pbsram (pipelined burst sram，流水式突發sram），還有intel沒有公佈細節的csram等。
sram一般可分為五大部分：儲存單元陣列（core cells array），行/列地址譯碼器(decode），靈敏放大器(sense amplifier），控制電路（control circuit），緩衝/驅動電路（ffio）。
sram是靜態儲存方式，以雙穩態電路作為儲存單元，sram不像dram一樣需要不斷重新整理，而且工作速度較快，但由於儲存單元器件較多，整合度不太高，功耗也較大。
11樓：匿名使用者
64k=2的16次方，所以是16根地址線，後面*16就直接是資料線的根數，所以是16，16.你看的那道題的答案有可能是錯的，答案是不是給你16.6啊
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