1樓：萌萌萌
通過對實驗箱上結型場效電晶體的測試認識n溝道j eet場效電晶體的電壓放大特性和開關特性。給mos管放大電路加輸入訊號為：正弦波vpp=200mv-500mv, f=2khz o 測量輸入電阻時輸入端的參考電阻r s=680k。
二。實驗主要儀器。
三極體萬用表示波器訊號源及其他電子元件。
三。實驗原理。
場效電晶體放大器效能分析。
閣6-1為結型場效電晶體組成的共源級放大電路。其靜態工作點u c s=ug-u s=-
i d=i dss( 1-^)
屮頻電壓放人倍數 ay—一gi rr/ =gn-rt ) rl
輸入電阻 r, -rg+rr l//rg 2
輸出電阻 r o^rn
式中跨導g.可由特性曲線用作圖法求得或用公式。
計算。但要注意計算時us要用靜態工作點處之數值。
輸入電阻的測量方法。
場效電晶體放人器的靜態工作點、電壓放人倍數和輸出電阻的測量方法與實驗二。
1/5頁。中電晶體放大器的測量方法相同。其輸入電阻的測量從原理上講也可採用實驗二屮所述方法但由於場效電晶體的ri比較大如直接測輸入電壓u和認，則限於測量儀器的輸入電阻有限必然會帶來較大的誤差。
因此為了減小誤差常利用被測放大器的隔離作用通過測量輸出電。
場效電晶體放大倍數怎樣求？
2樓：匿名使用者
一、不同的電路圖的放大倍數求法不同：
1、電路放大倍數=跨導*rd；
2、電路放大倍數=rd/rs。
二、場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。主要有兩種型別（junction fet—jfet)和金屬 - 氧化物半導體場效電晶體（metal-oxide semiconductor fet，簡稱mos-fet）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。
3樓：電子發騷友
gm＝id/ugs，這個應該知道吧，然後au為輸出電壓除以輸入電壓，au＝-uo/ui，而ui就是-ugs，uo為id×rd（id×rd‖rl），au＝-uo/ui，gm＝id/ugs→id＝gm×ugs，代換uo中的id，au＝-gm×ugs×rd/ugs，然後約分得au＝-gm×rd
場效電晶體是怎麼實現放大的
4樓：匿名使用者
其實場管和晶體三極體本質上相似，打個水管的比喻：都是用一個較小的動力來控制閥門，實現調節水管中水流量的目的。
只是bjt電晶體是用電流來驅動這個閥門（基極），實際上的效果就是：一個小的電流值就驅動了（或叫轉換成）一個大的電流值。小電流和大電流之間的比值就是放大倍數。
場管用電壓來驅動這個閥門（柵極），實際上的效果就是：一個小的電壓值就驅動了（或叫轉換成）一個大的電流值。小電壓和大電流之間的比值就是放大倍數，場管裡叫「跨導」單位叫「西門子」。
使用場管的優勢就是：驅動主要靠電壓，所以對驅動的電流要求低，換句話說就是輸入阻抗高。它們特別適合大電流輸出的場合，可以簡化驅動電路。
當然，由於場管柵極基本等效於電容，所以對具有較大結電容的大功率場管，對驅動電流還是有要求的，但是還是遠小於同功率三極體的要求。
5樓：音響帝國**
電晶體是通過ib控制ic，場效電晶體的通過vgs控制id，其它的理論與電晶體一樣。
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朱哥講電子 場效電晶體作為電子開關的小實驗。 小閆的日常工作生活 想學場效電晶體的工作原理，就得用它的特性製作一些小實驗，既有趣味性，又可以加深理解，可以起到事半功百的效果 蒿飇睢菡 一般的mosfet的ugs th 大都在2 4v之間，3205也不例外。3205挺好用的，你一直燒掉，估計是電流太大...
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型號有兩種命名方法。第一種命名方法與雙極型三極體相同，第三位字母j代表結型場效電晶體，o代表絕緣柵場效電晶體。第二位字母代表材料，d是p型矽，反型層是n溝道 c是n型矽p溝道。例如,3dj6d是結型p溝道場效應三極體，3do6c是絕緣柵型n溝道場效應三極體。第二種命名方法是cs cs代表場效電晶體，...
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blackpink 羅捷 就是 漏極 源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id 更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在vgs 0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極 源極間所加v...