1樓：朱哥講電子
場效電晶體作為電子開關的小實驗。
2樓：小閆的日常工作生活
想學場效電晶體的工作原理，就得用它的特性製作一些小實驗，既有趣味性，又可以加深理解，可以起到事半功百的效果
3樓：蒿飇睢菡
一般的mosfet的ugs(th)大都在2-4v之間，3205也不例外。
3205挺好用的，你一直燒掉，估計是電流太大了吧。
還有這種管子預設就要背散熱片的。
ps:還有個問題，你的3205是不是**？我以前拿到過3205**，很好的。
4樓：匿名使用者
兩種方案：
方案1要用p溝道場管，irf640n是n溝道的，不能用，還要求plc的oc端能承受24v電壓，這點可能不行。
方案2用n溝道場管，irf640n可行。
兩個方案都是低電平接通電磁閥，高電平斷開。
場效電晶體如何做開關使用，硬體如何連，微控制器如何控制？
5樓：匿名使用者
如果只是要控制12v繼電器開合,是不是太浪費了呢,一個irf640要3塊錢左右,用一個三極體不是很好吧,如果要驅動irf640還得用到光耦,成本太大,如果要用的話圖上的就可以,光耦那裡是4路的,你選一路就行了 ,p1.0給出一個低電平到pc817的2腳《圖可看出》即可
6樓：渢
你去查查irf640的驅動方法吧。
這兩顆引數類似，irf640n是irf640的改進型，導通電阻要小一些
這顆mos驅動vgs電壓至少超過10v以上拿3.3v電壓肯定控制不了的。
加一級三極體或者光偶把控制電平提升到12v試試
場效電晶體怎樣做開關管
7樓：匿名使用者
方案1要用p溝道場管，irf640n是n溝道的，不能用，還要求plc的oc端能承受24v電壓，這點可能不行。
方案2用n溝道場管，irf640n可行。
兩個方案都是低電平接通電磁閥，高電平斷開。
場效電晶體要注意防靜電。很容易燒壞的。
舉個例子：
做一個場效電晶體的的開關電路，控制25w 24v的電磁鐵 ，電源 直流24v ，訊號電壓 8v，最低1.7v ，訊號和輸出都是兩個 ，一個離合， 一個剎車 ，交替執行 每秒大約5次。
方法：1.7至8v的訊號電壓通過限流電阻接至三極體基極，三極體集電極觸發由cd4013數字積體電路電路組成的單穩態電路，數位電路4013的輸出端q和q非分別驅動2個場效電晶體，二個效應管均可驅動電磁鐵線圈，使離合、剎車交替進行，選取合適的單穩態電阻和電容元件可以使離合 、剎車每秒1次以上。
場效電晶體電壓控制元件，僅僅在開關時候需要從柵極吸收或者釋放電流，因此驅動損耗較小。多子器件，沒有電導調製效應，有一個近似線性i-v關係，導通壓降隨著電流增大增大。高耐壓的場效電晶體的漂移區較厚，因此導通電阻較大。
導通電阻具有正溫度係數，並聯時候可以實現自動均流。矽半導體的mosfet耐壓等級為600v以下。這是因為導通壓降和耐壓的關係的限制。
新型的碳化矽mosfet的耐壓等級可以做到1200v。對於高耐壓情況，igbt結合了mosfet和電晶體的特性，具有mosfet優異的開關效能和電晶體的靜態效能，在1000v~6000v應用場合更受到青睞。
8樓：朱哥講電子
場效電晶體作為電子開關的小實驗。
9樓：deity灬曦素材店
一般的mosfet的ugs(th)大都在2-4v之間 ，3205也不例外。
3205挺好用的，你一直燒掉，估計是電流太大了吧。
還有這種管子預設就要背散熱片的。
ps:還有個問題，你的3205是不是**？我以前拿到過3205**，很好的。
10樓：匿名使用者
n-mos的驅動很重要，你檢查g極的驅動電壓夠不夠，不夠的話發熱會非常厲害。
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場效電晶體的工作原理
blackpink 羅捷 就是 漏極 源極間流經溝道的id，用以柵極與溝道間的pn結形成的反偏的柵極電壓控制id 更正確地說，id流經通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴充套件變化控制的緣故。在vgs 0的非飽和區域，表示的過渡層的擴充套件因為不很大，根據漏極 源極間所加v...