1樓：匿名使用者
mosfet上的；二是你的mosfet是n還是p型的，這對判斷關斷還是導通有很大的影響。
n型mos一般都是用s對地，g接電壓控制，接地時截止，接高於地的電壓開始導通，d輸出，負載是從正電源到d之間連線，也就是說管子的d到s導通，讓負載的負極接到地，關斷時，負載的地斷開；pmos極性相反，s接正，g仍是控制，但接正時是關斷，低於正的電壓才是導通，d輸出時，負載一端接地，一端接d極，mos控制的是負載的正極。
假設是nmos，導通的要求就是vgs>0(理想值)，所以可以變形出公式vg>vs，這樣當你上述的條件下，vg只有5v，vs=200v，那麼顯而易見的說，會截止。
2樓：鈕秀英御卿
n型mos一般都是用s對地，g接電壓控制，接地時截止，接高於地的電壓開始導通，d輸出，負載是從正電源到d之間連線，也就是說管子的d到s導通，讓負載的負極接到地，關斷時，負載的地斷開；pmos極性相反，s接正，g仍是控制，但接正時是關斷，低於正的電壓才是導通，d輸出時，負載一端接地，一端接d極，mos控制的是負載的正極。
3樓：匿名使用者
導通電壓通常設定為15伏，截止為-5伏
4樓：匿名使用者
關閉電壓就是它開啟的閥值
mos管的開啟電壓是什麼，是指g極的電壓嗎。。。。如果是哪需要多少v
5樓：介於石心
是的，g極的電壓需要2-4v之間。
mos管的source和drain是可以對調的，都是在p型backgate中形成的n型區。在多數情況下，這個兩個區是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的效能，這樣的器件被認為是對稱的。
在對稱的mos管中，對source和drain的標註有一點任意性，載流子流出source，流入drain。因此source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時電晶體上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色。
無論n型或者p型mos管，其工作原理本質是一樣的。mos管是由加在輸入端柵極的電壓來控制輸出端漏極的電流。
mos管壓控器件它通過加在柵極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極體做開關時的因基極電流引起的電荷儲存效應，因此在開關應用中，mos管的開關速度應該比三極體快。
6樓：
並不一定說vgs要到10v,如果啟動電壓vgs(th)在0.6左右,微控制器3.3v可控制,並且有的vgs極限只能到8v,不能加到10v。
vgs(th)在1-1.5v,微控制器5v可以控制,vgs(th)在2v左右加驅動,6-8v可控制,vgs(th)在3v左右,vgs要到10v以上.
7樓：mist紫櫻是個溫柔鬼
這個電壓是指mos管中開始形成導電溝道所需要的gs之間的電壓，標記為ugs(th)
一般n-mosfet的話，這個電壓一般是2-4v之間。不過要提醒你的是：
這個電壓僅僅是導電溝道開始形成時的電壓，如果要形成比較完整的溝道，電壓往往要上升到10v左右才好，否則通體電阻會比較大。
mosfet 的導通電壓閾值是多少？
8樓：匿名使用者
n 溝道導通電壓閾值約0.8v ,但保障mosfet導通內阻達到標稱值，還需要提高mosfet的門極電壓，門極電壓極限值約為20v.
9樓：匿名使用者
n型產品低壓在1v左右，中高壓在2~4v
mos管的過驅動電壓及閾值電壓是多少？
10樓：念憶
閾值電壓受襯偏效應的影響，即襯底偏置電位，零點五微米工藝水平下一階mos spice模型的標準閾值電壓為nmos0.7v pmos負 0.8，過驅動電壓為vgs減vth。
mos管，當器件由耗盡向反型轉變時，要經歷一個 si 表面電子濃度等於空穴濃度的狀態。此時器 件處於臨界導通狀態，器件的柵電壓定義為閾值電壓，mosfet的重要引數之一 。
mos管的閾值電壓等於背柵和源極接在一起時形成溝道需要的柵極對source偏置電壓。如果柵極對源極偏置電壓小於閾值電壓，就沒有溝道。
11樓：匿名使用者
正常驅動10-15，不要超過20v。
開啟的閾值電壓4-5v。
關斷最好有-5到-10v，或者保持低阻。
mos管是怎樣控制電壓的？
12樓：匿名使用者
用g極的控制電壓來控制mos管的導通,飽和,截止等狀態。使得d極的輸入電壓,在s極的輸出電壓上體現出不同的狀態。
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